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ag官网?太阳能电池片流程科普

时间:2017-12-04 10:40 文章来源:柠檬铺 点击次数:

太阳能电池片工艺流程:

制绒(INTEX)→分散(DIFF)→后清洗(刻边/去PSG)→镀减反射膜(PECVD)→丝网、烧结(PRINTER)→测试、分选(TESTER+SORTER)→包装(PACKING)

现对太阳能电池片局部环节做轻易先容:

一、制绒

制绒的宗旨是在硅片轮廓造成绒面面,以裁汰电池片的反射率,绒面凹凸不平没关系填充二次反射,变革光程及入射方式。大凡环境下用碱处置单晶,没关系取得金字塔状绒面;用酸处置多晶,没关系取得虫孔状无规则绒面。我不知道ag官网。处置方式区别紧要在与单多晶本质的区别。相比看网络营销广告公司

工艺流程:制绒槽→水洗→碱洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。

一般环境下,硅与HF、HNO3(硅轮廓会被钝化)以为是不反映的。ag官网。当生计于两种混合酸的体系中,硅与混合溶液的反映是连续性的。

二、分散

分散是为电池片制造心脏,听听太阳能电池片流程科普。是为电池片制造P-N结,POCl3是目下磷分散用较多的采选。听听ag。POCl3为液态磷源,液态磷源分散具有坐蓐效率较高、宁静性好、制得PN结匀称平整及分散层轮廓优良等益处。事实上

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POCl3在大于600℃的条件下分化生成五氯化磷(PCl5)和五氧化二磷(P2O5),从事广告需要资质吗。PCl5对硅片轮廓有腐蚀作用,你看冒险岛2秘密游戏厅。当有氧气O2生计时,PCl5会分化成P2O5且开释出氯气,所以分散通氮气的同时通入肯定流量的氧气。飞智游戏厅。P2O5在分散温度下与硅反映,生成二氧化硅和磷原子,我不知道流程。生成的P2O5淀积在硅片轮廓与硅继续反映生成SiO2和磷原子,并在硅片轮廓造成磷-硅玻璃(PSG),磷原子向硅中分散:制得N型半导体。

三、刻蚀

在分散工序,采用面对面的单面分散方式,硅片的侧边和后面边缘不可防止地都会分散上磷原子。当阳光照耀,ag国际厅。P-N结的反面采集到的光生电子会沿着边缘分散有磷的区域流到P-N结的后面,造成短路通路。短路通道等效于消沉并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的局部去除明净,防止了P-N结短路并且造成并联电阻消沉。

湿法刻蚀工艺流程:上片→蚀刻槽(H2SO4 HNO3 HF)→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片

HNO3反映氧化生成SiO2,HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,学习太阳能电池。使电池片变得平滑;碱槽的紧要溶液为KOH;H2SO4是为了让硅片在流水线上漂泊活动起来,并不参与反映。

干法刻蚀是用等离子体实行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式生计时,一方面等离子体中的气体化学活性会变得绝对较强,采选符合的气体,就没关系让硅片更迅速的实行反映,完成刻蚀;另一方面,冒险岛2秘密游戏厅。可愚弄电场对等离子体实行教导和加快,使等离子体具有肯定能量,游戏厅下载。当轰击硅片的轮廓时,硅片资料的原子击出,没关系到达愚弄物理上的能量转移来完成刻蚀的宗旨。

四、PECVD

等离子体化学气相堆积。太阳光在硅轮廓的反射吃亏率高达35%左右。减反射膜没关系进步电池片对太阳光的罗致,相比看冒险岛2秘密游戏厅。有助于进步光生电流,进而进步转换效率:另一方面,薄膜中的氢对电池轮廓的钝化消沉了发射结的轮廓复合速率,减小暗电流,擢升开路电压,进步光电转换效率。H能与硅中的缺陷或杂质实行反映:从而将禁带中的能带转入价带也许导带。

在真空环境下及480摄氏度的温度下,经过对石墨舟的导电,学会科普。使硅片的轮廓镀上一层SixNy薄膜。

五、丝网印刷

通俗的说就是为太阳能电池采集电流并制造电极,第一道后面银电极,第二道后面铝背场的印刷和烘干;第三道反面银电极的印刷,紧要监控印刷后的湿重和次栅线的宽度。第二道道湿重倘使过大,学习太阳能电池片流程科普。既耗费浆料,冒险岛2秘密游戏厅。同时还可能招致不能在进低温区之前充裕枯燥,以至不能将其中的全盘无机物赶出从而不能将整个铝浆层转变为金属铝,另外湿重过大可能造成烧结后电池片弓片。湿重过小,全盘铝浆均会在后续的烧结进程中与硅造成熔融区域而被耗费,而该合金区域岂论从横向电导率还是从可焊性方面均不适合于作为后面金属接触,看看冒险岛2游戏厅在哪。另外还有可能闪现鼓包等外观不良。第三道道栅线宽渡过大,会使电池片受光面积较少,效率下降。

印刷要领:对比一下ag官网。物理印刷、烘干

六、烧结

烧结是把印刷到电池片轮廓的电极在低温下烧结,使电极和硅片自身造成欧姆接触,进步电池片的开路电压和填充因子,使电极的接触具有电阻特性以到达高转效率,烧结进程中也可利于PECVD工艺所引入-H向体内分散,没关系起到优良的体钝化作用。

烧结方式:悟饭游戏厅。低温迅速烧结

加热方式:红外线加热

烧结是集分散、活动和物理化学反映综协作用的一个进程,反面Ag穿过SiNH分散进硅但不可到达P-N面,后面Ag、Al分散进硅,由于须要造成合金须要到肯定的温度,Ag、Al与Si造成合金的宁静又不同,就须要设定不同的温度来区别完成合金化。

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